JAIST Repository >
School of Materials Science >
Grants-in-aid for Scientific Research Papers >
FY 2011 >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/10593

Title: 種結晶層を用いた低温結晶化シリコン薄膜の粒径制御
Other Titles: Control of grain size in a low-temperature-crystallized Si film using seed layer
Authors: 堀田, 將
Authors(alternative): Horita, Susumu
Keywords: 低温結晶化
Si薄膜
YSZ薄膜
薄膜トランジスタ
固相成長
低温プロセス
多結晶Si
Issue Date: 7-May-2012
Abstract: (ZrO_2)_<1-x>(Y_2O_3)_x:(YSZ)層上に非晶質Si(a-Si)薄膜を堆積して、YSZ 層の結晶化誘発効果によりSi 薄膜の低温固相結晶化を検討した。その結果、結晶化にはY 組成比Y/(Zr+Y)が0.15 以上必要であること、YSZ 層によりa-Si 薄膜が短時間で結晶化すること、直接堆積法に比較して固相結晶化によりZr の拡散と結晶化Si 膜表面凹凸が低減できること、良好な結晶化にはa-Si堆積直前のYSZ 層表面の改質が重要であること、TFT 作製には各層の熱膨張係数の違いを考慮する必要があることが分かった。 : We investigated low-temperature solid-state crystallization (SPC) of an amorphous Si(a-Si) film on a YSZ layer which stimulates the crystallization. As a result, it is found that 1) Y/(Zr+Y) ratio is needed more than 0.15 for low-temperature crystallization, 2) due to YSZ layer, crystallization temperature becomes lower, 3) diffusion of Zr impurity into Si and surface roughness of Si film were reduced by SPC, 4) improvement of YSZ surface quality prior to Si film deposition is needed for better crystallization, and 5) thermal expansion between layers of TFT structure should be considered on its fabrication.
Description: 研究種目:基盤研究(C)
研究期間:2009~2011
課題番号:21560324
研究者番号:60199552
研究分野:電子デバイス
科研費の分科・細目:電気電子工学・電子・電気材料工学
Language: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/10593
Appears in Collections:平成23年度 (FY 2011)

Files in This Item:

File Description SizeFormat
21560324seika.pdf253KbAdobe PDFView/Open

All items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved.

 


Contact : Library Information Section, Japan Advanced Institute of Science and Technology