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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/10594

Title: ナノスケール電荷分布解析を目指したケルビン力顕微鏡の電位像形成機構の定量的解明
Other Titles: Identification of the origin of nanoscale image contrast in contact potential difference maps given by a Kelvin probe force microscope
Authors: 笹原, 亮
Authors(alternative): Sasahara, Akira
Keywords: 走査プローブ顕微鏡
Issue Date: 4-Jun-2012
Abstract: 双極子の大きさが異なる吸着カルボン酸イオンをケルビン力顕微鏡(KPFM)で解析し、接触電位差(CPD)像に分子位置に対応したコントラストが現れることを見出した。このナノスケールCPD 像コントラストは、探針-試料間の相互作用力、探針の振動振幅、トンネル電流による撹乱を受けていないことがわかった。本研究はナノスケールCPD 解析がKPFM を用いて可能であることを実証し、ナノスケールCPD 解析の更なる高精度化への課題として、探針の先鋭化と誘起電荷の解析を抽出した。 : Mixed monolayers of acetate and trifluoroacetate anions were examined by a Kelvin probe force microscope (KPFM). Obtained contact potential difference (CPD) maps showed the CPD change on the molecules. Such nanometer scale contrast in the CPD map was independent of the perturbation of cantilever oscillation frequency, cantilever oscillation amplitude, and tunneling current flowing between the tip and sample. The results proved that the nanometer scale CPD contrast by the KPFM shows true surface potential. It was found that the control of the cantilever oscillation amplitude and the investigation of tip-induced charges on the sample surface are necessary for further precise CPD analysis.
Description: 研究種目:若手研究(A)
科研費の分科・細目:応用物理学・工学基礎 薄膜・表面界面物性
Language: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/10594
Appears in Collections:平成23年度 (FY 2011)

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