JAIST Repository >
f. ナノマテリアルテクノロジーセンター >
f50. 科学研究費助成事業研究成果報告書 >
平成23年度 >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/10600

タイトル: (110)上の選択成長を利用した平面型並列ナノワイヤ電界効果トランジスタ
その他のタイトル: Planar nanowire field-effect transistors using selective-area epitaxy on (110)
著者: 赤堀, 誠志
著者(別表記): Akabori, Masashi
キーワード: 選択成長
(110)
InAs
ナノワイヤ
電界効果トランジスタ
発行日: 29-May-2012
抄録: 分子線エピタキシーを用いたGaAs(110)マスク基板上のInAs 選択成長について、適切な選択成長条件を得て、面内へのInAs ナノワイヤ形成を可能にした。さらにプレーナー型リソグラフィーを利用した平面型並列ナノワイヤ電界効果トランジスタの試作を行った。試作素子の室温における出力・伝達特性や極低温における磁気伝導度等を評価し、2.3A/mm・4.9mS/mm の最大電流・相互コンダクタンスやスピン軌道結合の存在等を確認した。 : We formed in-plane InAs nanowires using selective-area molecular beam epitaxy on GaAs(110) masked substrates with a certain condition. Moreover, we fabricated planar nanowire field-effect transistors by conventional lithography. We measured their output and transfer characteristics at room temperature, and magneto-conductivity at low temperatures. Maximum current and trans-conductance are 2.3A/mm and 4.9mS/mm, respectively, and spin-orbit coupling is observed.
記述: 研究種目:若手研究(B)
研究期間:2010~2011
課題番号:22760228
研究者番号:50345667
研究分野:ナノ構造プロセス・物性評価
科研費の分科・細目:電気電子工学・電子・電気材料工学
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/10600
出現コレクション:平成23年度 (FY 2011)

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズ形式
22760228seika.pdf619KbAdobe PDF見る/開く

当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 


お問い合わせ先 : 北陸先端科学技術大学院大学 研究推進課図書館情報係