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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/10601

Title: リソグラフィーレス液体ナノデバイス作製プロセスの基盤確立と不揮発性メモリ応用
Other Titles: Study on lithography-less solution process for nano-devices and its application to nonvolatile memories
Authors: 德光, 永輔
Authors(alternative): Tokumitsu, Eisuke
Keywords: 電子・電気材料
電子デバイス・機器
ナノ材料
半導体超微細化
マイクロ・ナノデバイス
Issue Date: 1-Apr-2012
Abstract: 本研究課題では、液体原料を用いたリソグラフィ-レスの全く新しいナノデバイス作製プロセスを提唱した。最初に液体原料の基礎物性の理解から研究を開始し、強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)、半導体In-Zn-O(IZO)等の薄膜の形成実験を通して、液体原料の熱的性質と成膜特性および電気的特性との関連を明らかにし、原料溶液の設計指針を策定した。次に強誘電体ゲート型の不揮発性メモリ素子をすべて液体原料から作製し、良好な電気的特性を得ることに成功した。さらにインプリントによる酸化物薄膜のパターニングに成功した。 : In this research project, a novel device fabrication process using liquid sources without conventional lithography techniques has been proposed. It was confirmed that the physical properties of thin films are closely related to thermal properties of source solutions and design concept for source solutions are defined. Next, ferroelectric-gate nonvolatile memory devices have been demonstrated using the proposed total solution process. In addition, the direct patterning of oxide films using solution process has been achieved.
Description: 研究種目:基盤研究(B)
研究期間:2009~2011
課題番号:21360144
研究者番号:10197882
研究分野:工学
科研費の分科・細目: 分科/電気電子工学, 細目/電子・電気材料工学
Language: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/10601
Appears in Collections:平成23年度 (FY 2011)

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