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http://hdl.handle.net/10119/12200
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| タイトル: | 半導体コンタクトを用いたグラフェンチャネルトランジスタの電流制御 |
| その他のタイトル: | Current control of graphene channel transistors using semiconductor contacts |
| 著者: | 徳光, 永輔 |
| 著者（別表記）: | Tokumitsu, Eisuke |
| キーワード: | グラフェン
シリコンカーバイド
トランジスタ
半導体コンタクト
単極性動作 |
| 発行日: | 6-Jun-2014 |
| 抄録: | グラフェンは高い移動度を持つことから次世代電子デバイス応用への期待が高いが、バンドギャップが０であるために、正の電圧を印加しても負の電圧を印加しても電流の流れる両極性動作を示し、ドレイン電流のオンオフ比が大きくできないという問題点がある。本研究では、従来の金属にかわり半導体であるSiCをソース・ドレインに用いることにより、グラフェンチャネルトランジスタの単極性動作を実現し、３桁以上の大きなオンオフ比を得ることに成功した。大きなオンオフ比を得るためにはグラフェンとSiCの界面特性を改善することが重要との知見が得られた。 : Graphene has attracted much interest for next-generation electronics applications due to its extremely high mobility. However, conventional graphene channel transistors with metal source/drain contacts show ambipolar behavior in their transfer characteristics and on/off drain current ratio is usually low because bandgap of graphene is zero. In this research project, it has been demonstrated that unipolar behavior with high on/off ratio of more than 10 can be obtained by using SiC semiconductor source/drain contacts. In particular, improvement of interface properties between graphene and SiC is important to obtain high on/off ratio. |
| 記述: | 研究種目：挑戦的萌芽研究
研究期間：2012～2013
課題番号：24656204
研究者番号：10197882
研究分野：固体電子工学
科研費の分科・細目：電子電子工学、電気・電子材料工学 |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/12200 |
| 出現コレクション: | 平成25年度 (FY 2013)
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記述 |
サイズ | 形式 |
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| 24656204seika.pdf | | 740Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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