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D-MS. 博士(マテリアルサイエンス)・博士(材料科学) >
D-MS. 2014年度(H26) >
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http://hdl.handle.net/10119/12308
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タイトル: | 容量-周波数-温度マッピングによるワイドキャップ金属-絶縁体-半導体デバイスの解析手法 |
著者: | Shih, Hong-An |
著者(別表記): | しい, ほんあん |
キーワード: | wide-gap MIS devices C-V characteristics frequency dispersion C-f-T mapping interface states AlGaN/GaN |
発行日: | Sep-2014 |
記述: | Supervisor:鈴木 寿一 |
タイトル(英語): | Characterization method for wide-gap metal-insulator-semiconductor devices by using capacitance-frequency-temperature mapping |
著者(英語): | Shih, Hong-An |
言語: | eng |
URI: | http://hdl.handle.net/10119/12308 |
学位授与番号: | 甲第829号 |
学位授与年月日: | 2014-09-24 |
学位名: | 博士(マテリアルサイエンス) |
学位授与機関: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
出現コレクション: | D-MS. 2014年度(H26) (Jun.2014 - Mar.2015)
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このアイテムのファイル:
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記述 |
サイズ | 形式 |
abstract.pdf | 要旨 | 42Kb | Adobe PDF | 見る/開く | paper.pdf | 本文 | 18080Kb | Adobe PDF | 見る/開く | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 128Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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