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http://hdl.handle.net/10119/18009
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| タイトル: | Conversion of the conduction type of a catalytic-chemical-vapor-deposited p-type a-Si by PH_3 plasma ion implantation |
| 著者: | Tu, Huynh-Thi-Cam
Koyama, Koichi
Yamaguchi, Noboru
Suzuki, Hideo
Ohdaira, Keisuke
Matsumura, Hideki |
| キーワード: | Catalytic vapor deposition
Plasma Ion Implantation
Interdigitated back-contact silicon heterojunction solar cell
back-side contacts
counter doping
Amorphous silicon |
| 発行日: | 2019-05-21 |
| 出版者: | Elsevier |
| 誌名: | Thin Solid Films |
| 巻: | 683 |
| 開始ページ: | 150 |
| 終了ページ: | 155 |
| DOI: | 10.1016/j.tsf.2019.05.035 |
| 抄録: | In this work, we propose counter-doping into a p-type amorphous silicon (a-Si) film prepared by catalytic chemical vapor chemical deposition (Cat-CVD) by PH_3 plasma ion implantation (PII). This method is expected to simplify the formation of p-n patterns in the back-side electrodes of interdigitated back contacted amorphous silicon (a-Si)/crystalline silicon (c-Si) heterojunction (IBC-SHJ) solar cells. In particular, we investigate the effect that hydrogen atoms implanted together with phosphorous dopants during PH_3 PII have on the surface passivation properties of counter-doped p-a-Si on c-Si. Conversion in the conduction type of p-a-Si after PH_3 PII is confirmed by the operation of SHJ solar cells. |
| Rights: | Copyright (C)2019, Elsevier. Licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International license (CC BY-NC-ND 4.0). [http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/] NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Huynh-Thi-Cam Tu, Koichi Koyama, Noboru Yamaguchi, Hideo Suzuki, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, Thin Solid Films, 683, 2019, 150-155, https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.05.035 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/18009 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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