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D-IS. 2023年度(R05) >
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http://hdl.handle.net/10119/19062
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| タイトル: | 新規デバイス応用のための２次元半導体・金属界面の理論的モデリング |
| 著者: | Abdul, Ghaffar |
| 著者（別表記）: | あぶどぅる, がふぁーる |
| キーワード: | Schottky barrier
ab initio
Phosphorene
WS2
semiconductor-metal interface
Tunnel barrier
metal-induced gap states
Fermi level pinning
Contact resistance
Interface dipole formation |
| 発行日: | Mar-2024 |
| 記述: | Supervisor: 本郷 研太
先端科学技術研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Theoretical modeling of 2D-semiconductor/metal interfaces for novel prototype device application |
| 著者（英語）: | Abdul, Ghaffar |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/19062 |
| 学位授与番号: | 甲第1452号 |
| 学位授与年月日: | 2024-03-22 |
| 学位名: | 博士(情報科学) |
| 学位授与機関: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
| 出現コレクション: | D-IS. 2023年度(R05) (Jun.2023 - Mar.2024)
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このアイテムのファイル:
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記述 |
サイズ | 形式 |
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| abstract.pdf | 要旨 | 32Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | paper.pdf | 本文 | 11402Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 287Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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