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D-MS. 博士(マテリアルサイエンス)・博士(材料科学) >
D-MS. 2024年度(R06) >

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ダブリン・コア・フィールド言語
contributor.authorMD TAUHIDUL ISLAM-
date.accessioned2025-06-09T07:02:32Z-
date.available2025-06-09T07:02:32Z-
date.issued2025-03-
identifier.urihttp://hdl.handle.net/10119/19931-
descriptionSupervisor: 赤堀 誠志en
description先端科学技術研究科en
description博士en
format.extent103068 bytes-
format.extent5243537 bytes-
format.extent160325 bytes-
format.mimetypeapplication/pdf-
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language.isoenen
subjectSemiconductor spintronicsen
subjectvertical spin valveen
subjectMnAs/InAs/MnAs double heterostructureen
subjectmolecular beam epitaxyen
subjectlow-temperature InAsen
title分子線エピタキシー(MBE)法により成長したGaAs(111)B上MnAs/InAs/MnAsダブルヘテロ構造の縦型スピンデバイス応用en
type.niiThesis or Dissertationen
rights.textversionETDen
language.iso639-2engen
contributor.alternativeえむでぃ たうひだる いすらむ-
description.thesistitleVertical spintronic device application of MnAs/InAs/MnAs double heterostructure on GaAs (111)B by molecular beam epitaxy (MBE)en
description.thesisauthorMD TAUHIDUL ISLAM-
identifier.displaygrantid甲第1536号en
date.granted2025-03-21en
description.degreename博士 (マテリアルサイエンス)en
description.grantor北陸先端科学技術大学院大学en
出現コレクション:D-MS. 2024年度(R06) (Jun.2024 - Mar.2025)

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