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D-MS. 博士(マテリアルサイエンス)・博士(材料科学) >
D-MS. 2024年度(R06) >
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http://hdl.handle.net/10119/19931
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完全登録情報レコード
ダブリン・コア・フィールド | 値 | 言語 |
contributor.author | MD TAUHIDUL ISLAM | - |
date.accessioned | 2025-06-09T07:02:32Z | - |
date.available | 2025-06-09T07:02:32Z | - |
date.issued | 2025-03 | - |
identifier.uri | http://hdl.handle.net/10119/19931 | - |
description | Supervisor: 赤堀 誠志 | en |
description | 先端科学技術研究科 | en |
description | 博士 | en |
format.extent | 103068 bytes | - |
format.extent | 5243537 bytes | - |
format.extent | 160325 bytes | - |
format.mimetype | application/pdf | - |
format.mimetype | application/pdf | - |
format.mimetype | application/pdf | - |
language.iso | en | en |
subject | Semiconductor spintronics | en |
subject | vertical spin valve | en |
subject | MnAs/InAs/MnAs double heterostructure | en |
subject | molecular beam epitaxy | en |
subject | low-temperature InAs | en |
title | 分子線エピタキシー(MBE)法により成長したGaAs(111)B上MnAs/InAs/MnAsダブルヘテロ構造の縦型スピンデバイス応用 | en |
type.nii | Thesis or Dissertation | en |
rights.textversion | ETD | en |
language.iso639-2 | eng | en |
contributor.alternative | えむでぃ たうひだる いすらむ | - |
description.thesistitle | Vertical spintronic device application of MnAs/InAs/MnAs double heterostructure on GaAs (111)B by molecular beam epitaxy (MBE) | en |
description.thesisauthor | MD TAUHIDUL ISLAM | - |
identifier.displaygrantid | 甲第1536号 | en |
date.granted | 2025-03-21 | en |
description.degreename | 博士 (マテリアルサイエンス) | en |
description.grantor | 北陸先端科学技術大学院大学 | en |
出現コレクション: | D-MS. 2024年度(R06) (Jun.2024 - Mar.2025)
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このアイテムのファイル:
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記述 |
サイズ | 形式 |
abstract.pdf | 要旨 | 100Kb | Adobe PDF | 見る/開く | paper.pdf | 本文 | 5120Kb | Adobe PDF | 見る/開く | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 156Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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