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i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 1997年度(H09) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/2450

タイトル: cat-CVD法による多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタに関する研究
著者: 中田, 和久
著者（別表記）: なかた, かずひさ
キーワード: cat-CVD法,多結晶シリコン,大面積堆積,薄膜トランジスタ
cat-CVD method,poly silicon,large-area deposition,
発行日: Mar-1998
記述: 
Supervisor:松村 英樹
材料科学研究科
修士
タイトル（英語）: Fundamental Studies on Thin Film Transistors Using Cat-CVD Poly Silicon
著者（英語）: Nakata, Kazuhisa
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/2450
出現コレクション:M-MS. 1997年度(H09) (Jun.1997 - Mar.1998)

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