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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 1998年度(H10) >
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http://hdl.handle.net/10119/2583
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| タイトル: | Si基板上にヘテロエピタキシャル成長させたYSZ薄膜の電気的特性の改善 |
| 著者: | 中島, 英樹 |
| 著者（別表記）: | なかじま, ひでき |
| キーワード: | Si, YSZ, ヘテロエピタキシャル成長, 反応性スパッタ法, XRD, I-V, C-V
Si, YSZ, heteroepitaxial growth, reactive sputteri |
| 発行日: | Mar-1999 |
| 記述: |
Supervisor:堀田 將
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Improvement of Electrical Properties of Epitaxial YSZ Filmson Si substeates Grown by Reactive Sputtering |
| 著者（英語）: | Nakajima, Hideki |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2583 |
| 出現コレクション: | M-MS. 1998年度(H10) (Jun.1998 - Mar.1999)
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記述 |
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