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M-MS. 2000年度(H12) >
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http://hdl.handle.net/10119/2777
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| タイトル: | エピタキシャルBi4Ti3O12(BIT)薄膜を用いた強誘電体メモリデバイスの研究 |
| 著者: | 佐々木, 伸悟 |
| 著者（別表記）: | ささき, しんご |
| キーワード: | 強誘電体メモリ, スパッタリング法, エピタキシャル成長, Bi4Ti3O12, Ir, Pt, YSZ
Ferroelectric memory, sputtering, epitaxial, Bi4Ti |
| 発行日: | Mar-2001 |
| 記述: |
Supervisor:堀田 將
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Study on ferroelectric memory device using an Epitaxial Bi4Ti3O12(BIT) thin film |
| 著者（英語）: | Sasaki, Shingo |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2777 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2000年度(H12) (Jun.2000 - Mar.2001)
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記述 |
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