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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/3120

Title: Cat-CVD法により作製されたa-Si膜特性と薄膜トランジスタ製作への応用
Authors: 吉田, 勝範
Authors(alternative): よしだ, かつのり
Keywords: Cat-CVD a-Si TFT a-Si:H μc-Si:H Si-O結合 FT-IR
Issue Date: Mar-2004
Description: Supervisor:松村 英樹
材料科学研究科
修士
Authors(English): Yoshida, Katsunori
Language: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/3120
Appears in Collections:M-MS. 2003年度(H15) (Jun.2003 - Mar.2004)

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