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i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2003年度(H15) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/3120

タイトル: Cat-CVD法により作製されたa-Si膜特性と薄膜トランジスタ製作への応用
著者: 吉田, 勝範
著者（別表記）: よしだ, かつのり
キーワード: Cat-CVD a-Si TFT a-Si:H μc-Si:H Si-O結合 FT-IR
発行日: Mar-2004
記述: Supervisor:松村　英樹
材料科学研究科
修士
タイトル（英語）: Cat-CVD法により作製されたa-Si膜特性と薄膜トランジスタ製作への応用
著者（英語）: Yoshida, Katsunori
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/3120
出現コレクション:M-MS. 2003年度(H15) (Jun.2003 - Mar.2004)

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