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M-MS. 2005年度(H17) >
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http://hdl.handle.net/10119/3223
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| タイトル: | Si基板上に集積化した中間電極付きFET型強誘電体メモリの動作特性 |
| 著者: | 紙屋, 博之 |
| 著者（別表記）: | かみや, ひろゆき |
| キーワード: | PZT，次世代メモリ, 強誘電体
PZT |
| 発行日: | Mar-2006 |
| 記述: |
Supervisor:堀田 將
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Operation characteristics of integrated FET type ferroelectric memory with an intermediate electrode on an Si substrate |
| 著者（英語）: | Kamiya, Hiroyuki |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/3223 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2005年度(H17) (Jun.2005 - Mar.2006)
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記述 |
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