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http://hdl.handle.net/10119/4509
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| タイトル: | Output properties of C_<60> field-effect transistor device with Eu source/drain electrodes |
| 著者: | Ochi, Kenji
Nagano, Takayuki
Ohta, Toshio
Nouchi, Ryo
Kubozono, Yoshihiro
Matsuoka, Yukitaka
Shikoh, Eiji
Fujiwara, Akihiko |
| 発行日: | 2006-08-23 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 89 |
| 号: | 8 |
| 開始ページ: | 083511-1 |
| 終了ページ: | 083511-3 |
| DOI: | 10.1063/1.2337990 |
| 抄録: | Field-effect transistor (FET) device with thin films of C_<60> has been fabricated with Eu electrodes exhibiting small work function. The C_<60> FET device shows n-channel FET properties with high field-effect mobility, 0.50 cm^2 V^<-1> s^<-1>. Furthermore, nonvanishing drain current, i.e., normally on, is observed in this FET device. This originates from small energy barrier for electron from Eu source electrode to lowest unoccupied molecular orbital of C_<60>. |
| Rights: | Copyright 2006 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in K. Ochi, T. Nagano, T. Ohta, , R. Nouchi, Y. Kubozono, Y. Matsuoka, E. Shikoh, A. Fujiwara, Applied Physics Letters, 89(8), 083511 (2006) and may be found at http://link.aip.org/link/?APPLAB/89/083511/1 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/4509 |
| 資料タイプ: | publisher |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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