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http://hdl.handle.net/10119/8183
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| タイトル: | Drastic Improvement of Minority Carrier Lifetimes Observed in Hydrogen-Passivated Flash-Lamp-Crystallized Polycrystalline Silicon Films |
| 著者: | Ohdaira, Keisuke
Takemoto, Hiroyuki
Shiba, Kazuhiro
Matsumura, Hideki |
| 発行日: | 2009-06-12 |
| 出版者: | The Japan Society of Applied Physics |
| 誌名: | Applied Physics Express |
| 巻: | 2 |
| 開始ページ: | 061201-1 |
| 終了ページ: | 061201-3 |
| DOI: | 10.1143/APEX.2.061201 |
| 抄録: | Polycrystalline silicon (poly-Si) films 4.5 μm thick, formed on glass substrates by flash lamp annealing (FLA) of precursor amorphous Si (a-Si) films, show remarkably long minority carrier lifetimes of approximately 100 μs after post-furnace annealing under N_2 ambient. Even after crystallization by FLA, there remain a large number of H atoms, on the order of 1^<21>/cm^3, which probably effectively act to passivate dangling bonds in the poly-Si films. A minority carrier diffusion length of approximately 60 μm, estimated using the lifetime value, indicates high feasibility of realizing thin-film solar cells using this material. |
| Rights: | This is the author's version of the work. It is posted here by permission of The Japan Society of Applied Physics. Copyright (C) 2009 The Japan Society of Applied Physics. Keisuke Ohdaira, Hiroyuki Takemoto, Kazuhiro Shiba, and Hideki Matsumura, Applied Physics Express, 2, 2009, 061201.. http://apex.ipap.jp/link?APEX/2/061201/ |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/8183 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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