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タイトル: Thin-film polycrystalline silicon solar cells formed by flash lamp annealing of a-Si films
著者: Endo, Yohei
Fujiwara, Tomoko
Ohdaira, Keisuke
Nishizaki, Shogo
Nishioka, Kensuke
Matsumura, Hideki
キーワード: Flash lamp annealing
Polycrystalline silicon
High-pressure water vapor annealing
Minority carrier lifetime
発行日: 2010-06-30
出版者: Elsevier
誌名: Thin Solid Films
巻: 518
号: 17
開始ページ: 5003
終了ページ: 5006
DOI: 10.1016/j.tsf.2010.03.008
抄録: We have fabricated thin-film solar cells using polycrystalline silicon (poly-Si) films formed by flash lamp annealing (FLA) of 4.5-µm-thick amorphous Si (a-Si) films deposited on Cr-coated glass substrates. High-pressure water-vapor annealing (HPWVA) is effective to improve the minority carrier lifetime of poly-Si films up to 10 µs long. Diode and solar cell characteristics can be seen only in the solar cells formed using poly-Si films after HPWVA, indicating the need for defect termination. The actual solar cell operation demonstrated indicates feasibility of using poly-Si films formed through FLA on glass substrates as a thin-film solar cell material.
Rights: NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Yohei Endo, Tomoko Fujiwara, Keisuke Ohdaira, Shogo Nishizaki, Kensuke Nishioka, and Hideki Matsumura, Thin Solid Films, 518(17), 2010, 5003-5006, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2010.03.008
URI: http://hdl.handle.net/10119/9051
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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