|
JAIST Repository >
c. マテリアルサイエンス研究科・マテリアルサイエンス系 >
c50. 科学研究費助成事業研究成果報告書 >
2010年度 >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/9808
|
| タイトル: | スパッタ非晶質シリコン膜の瞬間結晶化による高品質多結晶シリコン薄膜形成 |
| その他のタイトル: | Formation of high-quality poly-Si films by rapid crystallization of sputtered a-Si films |
| 著者: | 大平, 圭介 |
| 著者（別表記）: | Ohdaira, Keisuke |
| キーワード: | 熱処理
結晶化
多結晶シリコン
太陽電池 |
| 発行日: | 1-Apr-2011 |
| 抄録: | 化学気相堆積(CVD)法と比べ安全なスパッタ法により形成した非晶質シリコン(a-Si)膜を、ミリ秒の桁の瞬間熱処理であるフラッシュランプアニール(FLA)で結晶化することにより、安価なガラス基板に熱損傷を与えることなく、多結晶Si(poly-Si)膜を形成する手法を確立した。CVD a-Si 膜の結晶化の際に必要なCr 密着層が無くても、Si 膜の剥離無く結晶化が可能であること、a-Si 膜中の欠陥密度が大きく異なるにも関わらず、同様の機構での結晶化が起こることなどを明らかにした。 : I have established the method of forming polycrystalline silicon (poly-Si) films without serious thermal damage onto glass substrates by crystallizing precursor amorphous Si (a-Si) films formed by sputtering, safer than chemical vapor deposition (CVD). I have clarified that sputtered a-Si films can be crystallized without Cr adhesion films and show a crystallization mechanism similar to that shown in CVD a-Si films. |
| 記述: | 若手研究（Ｂ）
研究期間：2009～2010
課題番号：21760580
研究者番号：40396510
研究分野：工学
科研費の分科・細目：材料工学・材料加工・処理 |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/9808 |
| 出現コレクション: | 2010年度 (FY 2010)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
|---|
| 21760580seika.pdf | | 819Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
