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http://hdl.handle.net/10119/9833
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| タイトル: | Flash-Lamp-Crystallized Polycrystalline Silicon Films with High Hydrogen Concentration Formed from Cat-CVD a-Si Films |
| 著者: | Ohdaira, Keisuke
Tomura, Naohito
Ishii, Shohei
Matsumura, Hideki |
| キーワード: | Crystallization
Flash lamp annealing
Polycrystalline silicon
Solar cell
Catalytic CVD |
| 発行日: | 2011 |
| 出版者: | Elsevier |
| 誌名: | Thin Solid Films |
| 巻: | 519 |
| 号: | 14 |
| 開始ページ: | 4459 |
| 終了ページ: | 4461 |
| DOI: | 10.1016/j.tsf.2011.01.313 |
| 抄録: | We investigate residual forms of hydrogen (H) atoms such as bonding configuration in poly-crystalline silicon (poly-Si) films formed by the flash-lamp-induced crystallization of catalytic chemical vapor deposited (Cat-CVD) a-Si films. Raman spectroscopy reveals that at least part of H atoms in flash-lampcrystallized (FLC) poly-Si films form Si-H_2 bonds as well as Si-H bonds with Si atoms even using Si-H-rich Cat-CVD a-Si films, which indicates the rearrangement of H atoms during crystallization. The peak desorption temperature during thermal desorption spectroscopy (TDS) is as high as 900 °C, similar to the reported value for bulk poly-Si. |
| Rights: | NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Keisuke Ohdaira, Naohito Tomura, Shohei Ishii and Hideki Matsumura, Thin Solid Films, 519(14), 2011, 4459-4461, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.313 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/9833 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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