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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/12199

Title: 短時間結晶化を利用した次世代多結晶シリコン薄膜太陽電池作製技術の開発
Other Titles: Development of the fabrication technology of next-generation polycrystalline silicon solar cells using rapid crystallization
Authors: 大平, 圭介
Authors(alternative): Ohdaira, Keisuke
Keywords: 瞬間熱処理
多結晶シリコン
太陽電池
結晶化
フラッシュランプアニール
Issue Date: 3-Jun-2014
Abstract: 本研究では、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン(a-Si)膜を、ミリ秒台の瞬間熱処理であるフラッシュランプアニール(FLA)により結晶化する太陽電池用多結晶Si膜形成において、高効率化に不向きなCr密着層を用いずに、Si膜の剥離を抑制する技術の確立を目的とした。凹凸構造をもつ透明導電膜付きガラス基板上に、膜厚3.5μmのa-Si膜を製膜してFLAを行うことで、Cr膜を用いなくても、膜剥がれ無くa-Si膜の結晶化が可能であることを明らかにした。また、この成果により、ガラス基板側から光を入射する、スーパーストレート型太陽電池実現の可能性が示された。 : This research is regarding the formation of polycrystalline silicon films by flash lamp annealing (FLA), millisecond discharge from Xe lamps, of precursor amorphous silicon films formed on glass substrates for solar cell application. We aimed the establishment of a technology to suppress Si film peeling during FLA without using Cr adhesion layers, which is unfavorable for the realization of high-efficiency solar cells. We have found that the use of glass substrates coated with textured transparent conductive oxide films results in the formation of poly-Si films without Si film peeling. This also demonstrates the possibility of realizing superstrate-type solar cells by using flash-lamp-crystallized polycrystalline silicon films.
Description: 研究種目:若手研究(B)
研究期間:2011~2013
課題番号:23760692
研究者番号:40396510
研究分野:太陽光発電、半導体、薄膜形成
科研費の分科・細目:材料工学、材料加工・処理
Language: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/12199
Appears in Collections:平成25年度 (FY 2013)

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