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Title: 爆発的結晶化による多結晶シリコン形成とその太陽電池応用
Other Titles: Formation of polycrystalline silicon by explosive crystallization and its application to solar cells
Authors: 大平, 圭介
Authors(alternative): Ohdaira, Keisuke
Keywords: 多結晶シリコン
爆発的結晶化
フラッシュランプアニール
太陽電池
Issue Date: 13-Jun-2019
Abstract: 本研究では、電子線蒸着非晶質シリコン膜にフラッシュランプアニールを行う際に発現する爆発的結晶化により形成される多結晶シリコン膜を太陽電池に応用するための基盤技術の確立を目指した。非晶質シリコン膜に意図的に厚膜部を設けることにより、爆発的結晶化の起点制御が可能となった。また、凹凸ガラス上への多結晶シリコン膜形成や窒化シリコン膜を挿入した構造の利用可能性を実証し、高効率太陽電池を形成するための指針を得た。研究成果の学術的意義や社会的意義: 太陽光発電が世界の基幹電力となるためには、太陽電池製造のより一層のコスト低減が必要である。本研究で確立した多結晶シリコン薄膜形成法を裏面電極型多結晶シリコン太陽電池に応用することができれば、シリコンウェハを使用しない太陽電池を実現することができ、製造工程の大幅な変革と、それに伴うコスト低減が期待される。 : In this study, we aimed to establish a fundamental technology for thesolar-cell application of polycrystalline silicon films formed through explosive crystallization taking place during flash lamp annealing of electron-beam-evaporated amorphous silicon films. We have found that the starting points of explosive crystallization can be controlled by intentionally forming thick parts in precursor amorphous silicon films. We have also demonstrated the possibility of forming a polycrystalline silicon film on textured glass substrates and the availability of a structure in which a silicon nitride film was inserted, through which a guideline for the fabrication of high efficiency solar cells has been obtained.
Description: 基盤研究(B)(一般)
研究期間:2015~2017
課題番号:15H04154
研究者番号:40396510
研究分野: 太陽電池
Language: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/16026
Appears in Collections:平成30年度 (FY 2018)

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