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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/4777

Title: エピタキシャルZrB_2薄膜を介在したシリコン基板における単一極性GaN薄膜の成長
Authors: 高村(山田), 由起子
王, 治涛
藤川, 安仁
櫻井, 利夫
Issue Date: 2006-07-05
Publisher: 日本物理学会
Magazine name: 日本物理学会誌
Volume: 61
Number: 7
Start page: 521
End page: 524
Abstract: 結晶極性を持たない基板であるSi(111)において,極性を制御したGaN薄膜を成長するために,界面構造の検討を行った。その結果,特に界面にZrB_2(0001)薄膜を用いると,GaN薄膜の成長条件にかかわらず単一窒素極性膜か得られる事が分かった。GaN-ZrB_2界面を理論的に解析して,Nか三配位てZrと結合した界面が最安定となり,GaN薄膜の極性を決定している事が明らかになった。
Rights: This is the author's version of the work. It is posted here by permission of The Physical Society of Japan. Copyright (C) 2006 The Physical Society of Japan. 高村(山田)由起子, 王治涛, 藤川安仁, 櫻井利夫, 日本物理学会誌, 61(7), 2006, 521-524.
URI: http://hdl.handle.net/10119/4777
Material Type: author
Appears in Collections:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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