|
JAIST Repository >
b. 情報科学研究科・情報科学系 >
b10. 学術雑誌論文等 >
b10-1. 雑誌掲載論文 >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/9824
|
| タイトル: | Extremely Low Recombination Velocity on Crystalline Silicon Surfaces Realized by Low-Temperature Impurity Doping in Cat-CVD Technology |
| 著者: | Hayakawa, Taro
Miyamoto, Motoharu
Koyama, Koichi
Ohdaira, Keisuke
Matsumura, Hideki |
| キーワード: | Solar cells
Surface recombination velocity
Impurity doping
Phosphorus
Cat-CVD |
| 発行日: | 2011 |
| 出版者: | Elsevier |
| 誌名: | Thin Solid Films |
| 巻: | 519 |
| 号: | 14 |
| 開始ページ: | 4466 |
| 終了ページ: | 4468 |
| DOI: | 10.1016/j.tsf.2011.01.301 |
| 抄録: | To reduce surface recombination velocity (SRV) at the interface between amorphous Si (a-Si) and crystalline silicon (c-Si), we particularly investigated the treatment of c-Si surface prior to a-Si deposition using decomposed radicals of hydrogen (H_2) and phosphine (PH_3). The SRV can be reduced dramatically to 1.6 cm/s only for n-type c-Si, while no such reduction is observed in p-type c-Si. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) and the Hall effect measurement actually reveal the existence of phosphorus (P) atoms in c-Si near the surface. |
| Rights: | NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Taro Hayakawa, Motoharu Miyamoto, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira and Hideki Matsumura, Thin Solid Films , 519(14), 2011, 4466-4468, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.301 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/9824 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | b10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
|---|
| 16462-1.pdf | | 137Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
