JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
D-MS. 博士(マテリアルサイエンス)・博士(材料科学) >
D-MS. 2018年度(H30) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/15798

タイトル: 低消費電力回路への応用に向けたグラフェントンネルトランジスタの急峻スイッチング特性の解析
著者: 鈴木, 俊英
著者(別表記): すずき, しゅんえい
キーワード: Graphene
Graphene nanoribbon (GNR)
Tunnel _eld effect transistor(TFET)
First principle simulation
Subthreshold Swing (SS)
ON/OFF ratio
発行日: Mar-2019
記述: Supervisor: 水田 博
先端科学技術研究科
博士
タイトル(英語): Analysis of steep switching characteristics in graphene tunnel field effect transistors for application to the low power circuit
著者(英語): Suzuki, Shunei
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/15798
学位授与番号: 甲第1128号
学位授与年月日: 2019-03-22
学位名: 博士(マテリアルサイエンス)
学位授与機関: 北陸先端科学技術大学院大学
出現コレクション:D-MS. 2018年度(H30) (Jun.2018 - Mar.2019)

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズ形式
abstract.pdf要旨719KbAdobe PDF見る/開く
paper.pdf本文13185KbAdobe PDF見る/開く
summary.pdf内容の要旨及び論文審査の結果の要旨1157KbAdobe PDF見る/開く

当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 


お問い合わせ先 : 北陸先端科学技術大学院大学 研究推進課図書館情報係